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onsemi NTHD3100CT3
| Artikelnummer: | NTHD3100CT3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
onsemi NTHD3100CT3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTHD3100CT3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Leistung - max 1.1W Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A, 3.2A Konfiguration N and P-Channel Grundproduktnummer NTHD3100 NTHD3100CT3 Einzelheiten PDF [English] NTHD3100CT3 PDF - EN.pdf -
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